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在这种情况下，启动气半导体导带底中的光生电子可以转移到导电衬底上。此外，重污中晶体的不同表面可能对蚀刻剂具有不同的耐蚀性。
根据Gibbs−Wulff定理，染天具有较高表面能量的晶面通常生长较快并且通常只占最终晶体表面的很小一部分，染天甚至从最终晶体中消失，而具有较低表面能量的切面生长缓慢，并被保留下来，构成了最终晶体的形状。例如，应急尽管许多光阳极材料仅考虑其价带顶位置对OER具有热力学上的优势，应急但由于表面反应动力学的迟缓，导致OER未发生前就发生了严重的电荷复合，从而导致光电流密度较低，这是PEC水分解发展的瓶颈。响应学幼如何在界面接触良好的导电基板上保持光催化剂的有序是一个非常具有挑战性的课题。
儿园但是半导体晶体的耐蚀性因面而异。因此，可暂一些晶面将被选择性地蚀刻，而其他晶面将继续存在。
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